研究負責人Clara Rittmann表示："關鍵發(fā)現(xiàn)是EpiWafers無需預吸雜步驟即可直接用于電池制造掏呼，當電池設計包含原位吸雜工藝時蟆融，n型和p型層能有效發(fā)揮吸雜作用井佑。"團隊測試顯示属铁，1.3 Ωcm外延晶圓的載流子壽命從初始100μs提升至1ms以上，性能參數(shù)與浮區(qū)晶圓相當。

該研究采用德國NexWafe公司的外延生長硅晶圓焦蘑，結(jié)合TOPCon2層原位吸雜技術盯拱，預計可制造轉(zhuǎn)換效率超30%的鈣鈦礦硅疊層太陽能電池。Rittmann強調(diào)例嘱，這一概念驗證與工業(yè)化實現(xiàn)的結(jié)合"前景廣闊"狡逢。目前弗勞恩霍夫ISE高效太陽能電池中心正基于該研究進行底部太陽能電池的制造開發(fā)。