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斯坦福大學(xué)科學(xué)家設(shè)計(jì)基于二硒化鎢的二硫?qū)倩锾柲茈姵?/h1>

2024-08-27 14:26  來源:pv-magazine  瀏覽:  

由斯坦福大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的一組研究人員開發(fā)出了一種新制造工藝糜谒,可以可擴(kuò)展的方式制造過渡金屬二硫?qū)倩?TMD) 太陽能電池甲献,從而使其更接近商業(yè)化生產(chǎn)柒拌。
用于新太陽能電池概念的 WSe2 薄膜
 
TMD 是一種二維材料,具有出色的半導(dǎo)體特性和高光吸收系數(shù)。這使得它們適合生產(chǎn)半透明和柔性太陽能電池肢专,并有望應(yīng)用于航空航天、建筑焦辅、電動(dòng)汽車和可穿戴電子產(chǎn)品博杖,這些領(lǐng)域非常需要輕質(zhì)、高功率重量比和靈活性筷登。

該研究的通訊作者 Koosha Nassiri Nazif 表示:“我們開發(fā)了一種可擴(kuò)展剃根、適合大規(guī)模生產(chǎn)的方法,可以生產(chǎn)出光伏級(jí)前方、晶圓級(jí)的二硒化鎢(WSe2 )薄膜狈醉,該薄膜具有層狀范德華結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的特性,包括載流子壽命高達(dá) 144 納秒惠险,比之前展示的任何其他大面積 TMD 薄膜高出 14 倍以上苗傅。 ”

該團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了一種濺射多層 WSe2 薄膜,厚度為 15-30 納米燎拟,可通過基于 900 C 固體源硒 (SS-Se) 或 650 C 低熱預(yù)算氫硒 (H2Se) 前體的硒化工藝應(yīng)用于 150 毫米晶圓上靶疟。所得 WSe2 薄膜的能帶隙為 1.2 eV 至 1.3 eV,科學(xué)家將其描述為太陽能收集的近乎理想的能帶隙享秒。

據(jù)報(bào)道脂桂,與之前的硒化報(bào)告相比,該薄膜表現(xiàn)出更優(yōu)異的特性远驹,表面光滑均勻梧部。研究人員表示,通過改進(jìn)接觸和摻雜安坏,在優(yōu)化的太陽能電池設(shè)計(jì)中泊嗤,其效率可達(dá)到 22.3%。

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