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以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)

2021-01-05 10:11  來(lái)源:解放日?qǐng)?bào)  瀏覽:  

日前川痛,阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測(cè)了2021年科技趨勢(shì)绑改,其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)蚜症。第三代半導(dǎo)體與前兩代有什么不同?為何這兩年會(huì)成為爆發(fā)的節(jié)點(diǎn)?第三代半導(dǎo)體之后,什么材料會(huì)再領(lǐng)風(fēng)騷?記者采訪(fǎng)了專(zhuān)家咆上。

禁帶寬度慢夸,是用來(lái)區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。

作為第三代半導(dǎo)體连欲,氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特打且,較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用宠录。氮化鎵電子飽和速度高,是硅的2.5倍帘战,是砷化鎵的2倍祸麸,非常適合做微波器件,比如手機(jī)內(nèi)的射頻前端放大器斑永、5G基站以及微波雷達(dá)椭斜。微波雷達(dá)并不限于應(yīng)用在航天航空和國(guó)防領(lǐng)域,將來(lái)在新能源汽車(chē)自動(dòng)駕駛里也有應(yīng)用潛力蛀埂,可利用它精確感知障礙物揣煤,指導(dǎo)自動(dòng)駕駛數(shù)據(jù)及時(shí)調(diào)整。

此外盾轮,氮化鎵還可用做功率開(kāi)關(guān)器件凉适,開(kāi)關(guān)速度越快,電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)就可以做得更小糙箍,功耗也能降低渤愁。手機(jī)充電器里就有功率開(kāi)關(guān)器件,可以把220伏的交流電轉(zhuǎn)化為5伏直流電深夯,然后給手機(jī)充電抖格。“現(xiàn)在受到歡迎的小型快速充電器,就用了氮化鎵功率開(kāi)關(guān)器件咕晋,未來(lái)還有望用于無(wú)線(xiàn)充電器他挎。”

不過(guò),氮化鎵也有局限捡需,需要在藍(lán)寶石办桨、硅、碳化硅等襯底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)站辉。由于材料不同呢撞,熱膨脹系數(shù)和晶格常數(shù)不匹配,會(huì)造成異質(zhì)外延材料缺陷高饰剥。這時(shí)候殊霞,碳化硅的優(yōu)勢(shì)就顯現(xiàn)出來(lái)了。碳化硅晶體可以在碳化硅襯底上同質(zhì)生長(zhǎng)寺癌,缺陷密度低雌褥,可以充分發(fā)揮碳化硅耐高壓特性,器件耐壓能力很容易達(dá)到1200伏—1700伏绅荒。碳化硅功率開(kāi)關(guān)器件適合高溫知祠、高壓、大功率應(yīng)用場(chǎng)景肝羊,未來(lái)將與“基于硅的絕緣柵雙極晶體管”形成市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)成甫,目前主要應(yīng)用在電動(dòng)車(chē)和充電樁。“碳化硅已經(jīng)用于特斯拉電動(dòng)車(chē)著正,將來(lái)也適用于電網(wǎng)惕衩、機(jī)車(chē)牽引以及航天航空領(lǐng)域。”

第三代半導(dǎo)體之前僅小范圍應(yīng)用侥镀,為何這兩年會(huì)成為爆發(fā)的節(jié)點(diǎn)?“其實(shí)我國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)能力并不弱协超,比如,華為就自主研發(fā)了7納米麒麟芯片皇可。我國(guó)的集成電路行業(yè)‘短板’主要集中在原材料仔戈、設(shè)計(jì)軟件和制造設(shè)備上,所以才導(dǎo)致小尺寸硅集成電路加工受制于人拧廊。而第三代半導(dǎo)體,器件完全可以采用現(xiàn)有的大尺寸器件加工平臺(tái)完成晋修,例如吧碾,功率開(kāi)關(guān)器件墓卦,只需0.35微米—0.5微米加工工藝,制造線(xiàn)稍加改造調(diào)整即可落剪。第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用大爆發(fā),也可以看作是‘彎道超車(chē)’忠怖,希望我們國(guó)家在這方面贏得時(shí)機(jī),跑在前面凡泣。”專(zhuān)家稱(chēng)枉疼。據(jù)介紹,中車(chē)集團(tuán)和上海積塔半導(dǎo)體都在建設(shè)6英寸碳化硅生產(chǎn)線(xiàn)窟句。

第三代半導(dǎo)體之后,什么材料會(huì)再領(lǐng)風(fēng)騷?“絕緣體的禁帶寬度很大吟筷,很難通過(guò)摻雜使其導(dǎo)電。但近年來(lái)隨著技術(shù)的不斷發(fā)展药阔,有些絕緣體也可以當(dāng)作半導(dǎo)體使用冲驶,因此被認(rèn)為是第3.5代半導(dǎo)體。”

比如译教,金剛石和氮化鋁嚣赤,它們的禁帶寬度分別為5.45電子伏特和6.2電子伏特公掰,非常適合于高溫、高輻射等極端環(huán)境下的功率開(kāi)關(guān)器件應(yīng)用违冲。“不過(guò)虏丹,要想合成單晶略荡、大尺寸的金剛石還非常困難庵佣,道路還很長(zhǎng)。”專(zhuān)家說(shuō)汛兜。


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