12月12日晚間展懈，露笑科技公告稱，截至12月12日祟勿，公司已向國(guó)宏中宇順利交付2臺(tái)碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備，設(shè)備已投入使用累筋，使用情況良好耀旅。根據(jù)此前簽訂的合同，露笑科技全資子公司露笑藍(lán)寶石將為國(guó)宏中宇提供80套碳化硅長(zhǎng)晶爐成套設(shè)備书瘤，該合同總金額為1.26億元傅女。

露笑科技董秘李陳濤表示：“公司多年研發(fā)藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐積累了經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)和人才儲(chǔ)備，為研發(fā)和生產(chǎn)碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備提供了足夠的支持叙杨。”據(jù)悉原酷，目前露笑藍(lán)寶石已經(jīng)收到國(guó)宏中宇及其產(chǎn)業(yè)化公司的長(zhǎng)晶設(shè)備定金及預(yù)付款共計(jì)3000萬元，其余長(zhǎng)晶設(shè)備將于2020年3月份后開始陸續(xù)分批交付疙鸟。

與其他企業(yè)合作

打造行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)

就在11月26日晚蔼俐，露笑科技公告稱與中科鋼研、國(guó)宏中宇正式簽署了碳化硅項(xiàng)目的戰(zhàn)略合作協(xié)議树戴，協(xié)議期限為2年币席，各方將密切合作打造世界級(jí)的第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)軍企業(yè)。

協(xié)議中指出万栅，將由中科鋼研主導(dǎo)工藝技術(shù)與設(shè)備研發(fā)工作佑钾，國(guó)宏中宇主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)、運(yùn)營(yíng)與市場(chǎng)銷售工作烦粒，露笑科技主導(dǎo)設(shè)備制造休溶、項(xiàng)目投融資等工作并全程深入?yún)⑴c各項(xiàng)工作。

“中科鋼研及國(guó)宏中宇在碳化硅晶體材料生長(zhǎng)工藝技術(shù)方面研發(fā)成果顯著扰她，露笑科技則在晶體生長(zhǎng)設(shè)備設(shè)計(jì)及裝備制造上有先進(jìn)技術(shù)與豐富經(jīng)驗(yàn)兽掰，優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，我們將共同研發(fā)適用于中科鋼研工藝技術(shù)要求的4英寸、6英寸禾进、8英寸乃至更大尺寸級(jí)別的碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備豁跑。”李陳濤告訴記者。

此外泻云，根據(jù)國(guó)宏中宇碳化硅產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的近期發(fā)展規(guī)劃艇拍，露笑科技及其控股企業(yè)將于2020年前為其定制約200臺(tái)碳化硅長(zhǎng)晶爐，設(shè)備總采購金額約3億元宠纯。

數(shù)據(jù)顯示卸夕，今年前三季度，露笑科技實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)2.22億元脏猴，同比增長(zhǎng)71.43%讨拷，業(yè)績(jī)?cè)龇黠@;其中，第三季度凈利潤(rùn)7075.18萬元处鲜，同比增長(zhǎng)125.28%依粮，環(huán)比二季度盈利能力更有明顯改善。

據(jù)悉恳岔，為了適應(yīng)5G通訊市場(chǎng)對(duì)于高性能党令、高頻HEMT器件需求的快速增長(zhǎng)，中科鋼研谋粱、國(guó)宏中宇已開展高純半絕緣型碳化硅材料研發(fā)并取得了積極進(jìn)展猖等。李陳濤提到，公司通過與中科鋼研计鹦、國(guó)宏中宇的緊密合作谎秃，將加速企業(yè)切入5G通訊行業(yè)核心關(guān)鍵材料的供貨領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)轉(zhuǎn)型灶鹦。

碳化硅材料產(chǎn)業(yè)部署

搶占5G通訊時(shí)代主動(dòng)權(quán)

有業(yè)內(nèi)專家指出弱瞄，碳化硅(SiC)器件有禁帶寬度大、電子遷移率高馒胆、耐高溫性好等特性缨称，其材料及器件的研究對(duì)于5G通訊具有重要意義，是需要進(jìn)一步發(fā)展的核心技術(shù)祝迂。

“公司一直以來都在研究新材料技術(shù)及裝備睦尽，在2年前就已將發(fā)展目光轉(zhuǎn)向了目前備受關(guān)注的碳化硅材料領(lǐng)域。”李陳濤表示,“就目前來看型雳，碳化硅器件已經(jīng)在5G通信当凡、新能源汽車、高速軌道交通等領(lǐng)域已經(jīng)廣泛應(yīng)用纠俭。”

公開資料顯示沿量，華為也已經(jīng)加入了布局第三代半導(dǎo)體材料的隊(duì)伍浪慌，其通過旗下的哈勃投資參股了以研發(fā)碳化硅為主的半導(dǎo)體材料公司山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司。

記者了解到朴则，SiC生產(chǎn)過程分為SiC單晶生長(zhǎng)权纤、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟，對(duì)應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)是襯底乌妒、外延眉挥、器件與模組。事實(shí)上日频，在國(guó)際上美國(guó)科銳(Cree)公司一直處于SiC晶體材料和器件乃至整個(gè)SiC半導(dǎo)體行業(yè)的壟斷地位深七，早在2012年，Cree已經(jīng)開始推出6英寸的SiC襯底產(chǎn)品浮块，2016年粉霹，Cree就可提供8英寸N型SiC襯底。

值得一提的是勉瘩，此次露笑科技與戰(zhàn)略合作方將共同建設(shè)碳化硅襯底片加工中心喉侨，應(yīng)用最新一代碳化硅襯底片加工技術(shù)，主要是滿足國(guó)內(nèi)外快速增長(zhǎng)的6英寸及以上尺寸級(jí)別的碳化硅襯底片加工需求杀坟，不斷提升的襯底片質(zhì)量與成品率水平吻毅。

此外，露笑科技等三方還將在高純半絕緣型碳化硅長(zhǎng)晶爐跛究、高純半絕緣型碳化硅襯底片加工制造等方面開展深入合作，以盡快成為5G通訊行業(yè)核心關(guān)鍵材料的主要供貨企業(yè)寸靶。